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Renesas Electronics 瑞萨电子 分立器件

硅N沟道MOS FET高速电源开关 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features

•  Low on-resistance

   RDS=0.010 Ωtyp.

•  High speed switching

•  4 V gate drive device can be driven from 5 V source


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin3+Tab TO-3P Tube


Win Source:
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching


2SK2955-E中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 45A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SK2955-E引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
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替代型号2SK2955-E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2SK2955-E

品牌: Renesas Electronics 瑞萨电子

封装: TO N-CH 60V 45A

当前型号

硅N沟道MOS FET高速电源开关 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

当前型号

型号: 2SK2955

品牌: 瑞萨电子

封装: TO N-CH 60V 45A

完全替代

硅N沟道MOS FET高速电源开关 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK2955-E和2SK2955的区别