2N2270
数据手册.pdf
Central Semiconductor
分立器件
2N2270中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 45 V
最小电流放大倍数hFE 50 @150mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 200
额定功率Max 1 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39-3
外形尺寸
宽度 9.4 mm
封装 TO-39-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2N2270引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N2270
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N2270 品牌： Central Semiconductor 封装： TO39 NPN | 当前型号 | TO-39 NPN 45V | 当前型号 |
| 型号： 2N3053A 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | 2N 系列 60 V 700 mA NPN 通孔 硅 晶体管 - TO-39 | 2N2270和2N3053A的区别 |
| 型号： 2N3053 品牌： 通用电气 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor | 2N2270和2N3053的区别 |