2SK1300-E

Renesas Electronics 瑞萨电子分立器件

硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET

Silicon N Channel MOS FET

**Features**

• Low on-resistance

• High speed switching

• Low drive current

• 4 V gate drive device

- Can be driven from 5 V source

• Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive

**Application**

High speed power switching

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

2SK1300-E中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 40 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 10A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SK1300-E引脚图与封装图

暂无图片

在线购买2SK1300-E

型号	制造商	描述	购买
2SK1300-E	Renesas Electronics 瑞萨电子	硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET	搜索库存