耗散功率 1.5 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 1.5 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1500 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 14
封装 TO-116
封装 TO-116
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2N6987 | Microsemi 美高森美 | 多个( QUAD ) PNP硅开关晶体管 MULTIPLE QUAD PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2N6987 品牌: Microsemi 美高森美 封装: 14-DIP 1500mW | 当前型号 | 多个( QUAD ) PNP硅开关晶体管 MULTIPLE QUAD PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR | 当前型号 | |
型号: JANTX2N6987 品牌: 美高森美 封装: 14-DIP 1500mW | 完全替代 | JANTX 系列 60 V 600 mA 多(四) PNP 硅 开关晶体管 - DIP-14 | 2N6987和JANTX2N6987的区别 | |
型号: JANTXV2N6987 品牌: 美高森美 封装: 14-DIP | 完全替代 | TRANS PNP QUAD 60V 600mA TO116 | 2N6987和JANTXV2N6987的区别 | |
型号: JAN2N6987 品牌: 美高森美 封装: 14-DIP | 类似代替 | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 14Pin TO-116 | 2N6987和JAN2N6987的区别 |