2SJ527L-E
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Renesas Electronics
瑞萨电子
分立器件
2SJ527L-E中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 20 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 5A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 220pF @10VVds
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 20000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 DPAK
外形尺寸
封装 DPAK
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
2SJ527L-E引脚图与封装图
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在线购买2SJ527L-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SJ527L-E | Renesas Electronics 瑞萨电子 | 硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET | 搜索库存 |
替代型号2SJ527L-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SJ527L-E 品牌： Renesas Electronics 瑞萨电子 封装： DPAKL-1 P-CH 60V 5A | 当前型号 | 硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET | 当前型号 |
| 型号： 2SJ527L 品牌： 瑞萨电子 封装： | 功能相似 | 硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET | 2SJ527L-E和2SJ527L的区别 |