2SK4098LS
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
2SK4098LS中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 7A
上升时间 34 ns
输入电容Ciss 600pF @30VVds
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
引脚数 3
封装 TO-220
外形尺寸
封装 TO-220
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SK4098LS引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2SK4098LS
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SK4098LS 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO220FI N-Channel 600V 7A | 当前型号 | TO-220FILS N-CH 600V 7A | 当前型号 |
| 型号： IXTH36N50P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-Channel 500V 36A 5.5nF | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXTH36N50P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 36 A, 500 V, 170 mohm, 10 V, 5 V | 2SK4098LS和IXTH36N50P的区别 |
| 型号： IXFH36N50P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-Channel 500V 36A 170mΩ 5.5nF | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | 2SK4098LS和IXFH36N50P的区别 |
| 型号： IXFH26N50P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-Channel 500V 26A 230mΩ 3.6nF | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | 2SK4098LS和IXFH26N50P的区别 |