2SA1312GRTE85LF
数据手册.pdfToshiba(东芝)
分立器件
耗散功率 150 mW
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 120 V
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 700
额定功率Max 150 mW
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 125℃ TJ
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SA1312GRTE85LF | Toshiba 东芝 | Bipolar Transistors - BJT PNP Audio Amp VCEO -120V HFE 700 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2SA1312GRTE85LF 品牌: Toshiba 东芝 封装: S-Mini | 当前型号 | Bipolar Transistors - BJT PNP Audio Amp VCEO -120V HFE 700 | 当前型号 | |
型号: 2SA1163-GR,LF 品牌: 东芝 封装: TO-236-3 150mW | 类似代替 | Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 3Pin TO-236 | 2SA1312GRTE85LF和2SA1163-GR,LF的区别 |