频率 20 MHz
极性 PNP
耗散功率 130 W
击穿电压集电极-发射极 180 V
集电极最大允许电流 15A
最小电流放大倍数hFE 50 @3A, 4V
额定功率Max 130 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 130000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
封装 TO-3-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2SA1492 品牌: Sanken Electric 三垦电气 封装: TO PNP 130000mW | 当前型号 | TO-3P PNP 180V 15A | 当前型号 | |
型号: NTE2329 品牌: NTE Electronics 封装: PNP 150W | 功能相似 | NTE ELECTRONICS NTE2329 射频晶体管, PNP, -3V, 25MHZ | 2SA1492和NTE2329的区别 | |
型号: 2SA1302-O 品牌: 东芝 封装: TO-3PL PNP -200V -15A | 功能相似 | TO-3PL PNP 200V 15A | 2SA1492和2SA1302-O的区别 | |
型号: 2SB1429 品牌: 东芝 封装: | 功能相似 | TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL TYPE POWER AMPLIFIER APPLICATION | 2SA1492和2SB1429的区别 |