2SJ248-E

Renesas Electronics 瑞萨电子分立器件

硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET

Description

High speed power switching

Features

• Low on-resistance

• High speed switching

• Low drive current

• 4 V gate drive device can be driven from 5 V source

• Suitable for switching regulator, DC-DC converter

Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 100V 8A 3-Pin3+Tab TO-220FM Box

2SJ248-E中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 8A

封装参数

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SJ248-E引脚图与封装图

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