2SK1254L-E
数据手册.pdf
Renesas Electronics
瑞萨电子
分立器件
2SK1254L-E中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 20 W
漏源极电压Vds 120 V
连续漏极电流Ids 3A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 420pF @10VVds
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 20000 mW
封装参数
引脚数 3
封装 DPAK
外形尺寸
封装 DPAK
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
2SK1254L-E引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2SK1254L-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SK1254L-E | Renesas Electronics 瑞萨电子 | 硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET | 搜索库存 |
替代型号2SK1254L-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SK1254L-E 品牌： Renesas Electronics 瑞萨电子 封装： DPAKL N-CH 120V 3A | 当前型号 | 硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET | 当前型号 |
| 型号： 2SK1254L 品牌： 瑞萨电子 封装： | 功能相似 | 硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET | 2SK1254L-E和2SK1254L的区别 |