![2SJ527S-E](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_519/chanpintu/2sj527s-e-YJkoib96-eZnpnGeoA.png)
耗散功率 20 W
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 220pF @10VVds
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 20000 mW
引脚数 3
封装 TO-252
封装 TO-252
材质 Silicon
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SJ527S-E | Renesas Electronics 瑞萨电子 | Trans MOSFET P-CH 60V 5A 3Pin2+Tab DPAKS | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2SJ527S-E 品牌: Renesas Electronics 瑞萨电子 封装: DPAKS/TO-252 | 当前型号 | Trans MOSFET P-CH 60V 5A 3Pin2+Tab DPAKS | 当前型号 | |
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型号: 2SJ377TE16L1,NQ 品牌: 东芝 封装: PW-Mold P-CH 60V 5A | 功能相似 | New P-CH 60V 5A | 2SJ527S-E和2SJ377TE16L1,NQ的区别 | |
型号: 2SJ527S 品牌: 瑞萨电子 封装: | 功能相似 | 硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET | 2SJ527S-E和2SJ527S的区别 |