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2SD2655WM-TL-E

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Renesas Electronics 瑞萨电子 分立器件

2SD2655WM-TL-E NPN三极管 60V 1A 280MHz 200~500 160mV/0.16V SOT-23/SC-59/MPAK marking/标记 WM 低频功率放大器

Silicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier Features • Small size package: MPAK SC–59A • Large Maximum current: IC = 1 A • Low collector to emitter saturation voltage: VCEsat = 0.3 V max.at IC/IB = 0.5 A/0.05 A • High power dissipation: PC = 800 mW when using alumina ceramic board 25 x 60 x 0.7 mm • Complementary pair with 2SB1691


艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 1A 3-Pin MPAK T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 1A 3-Pin MPAK T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 1A 3-Pin MPAK T/R


2SD2655WM-TL-E中文资料参数规格
技术参数

频率 280 MHz

极性 NPN

耗散功率 0.8 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 1A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SD2655WM-TL-E引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
2SD2655WM-TL-E Renesas Electronics 瑞萨电子 2SD2655WM-TL-E NPN三极管 60V 1A 280MHz 200~500 160mV/0.16V SOT-23/SC-59/MPAK marking/标记 WM 低频功率放大器 搜索库存