锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

2MBI800U4G-120

2MBI800U4G-120

数据手册.pdf
FUJI 富士电机 分立器件

IGBT 模块,2 个装,Fuji Electric V - 系列,第 6 代现场挡块 U/U4 系列,第 5 代现场挡块 S - 系列,第 4 代 NPT IGBT 分立件和模块,Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 模块,2 个装,Fuji Electric

V - 系列,第 6 代现场挡块

U/U4 系列,第 5 代现场挡块

S - 系列,第 4 代 NPT


欧时:
Fuji Electric 2MBI800U4G-120 N通道 IGBT 模块, 串行, 800 A, Vce=1200 V, 4引脚 M256封装


2MBI800U4G-120中文资料参数规格
技术参数

极性 Dual N-Channel

耗散功率 4.8 kW

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 3.9 kW

封装参数

引脚数 10

封装 M256

外形尺寸

长度 140 mm

宽度 130 mm

高度 38 mm

封装 M256

其他

产品生命周期 End of Life

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

2MBI800U4G-120引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2MBI800U4G-120
型号 制造商 描述 购买
2MBI800U4G-120 FUJI 富士电机 IGBT 模块,2 个装,Fuji Electric V - 系列,第 6 代现场挡块 U/U4 系列,第 5 代现场挡块 S - 系列,第 4 代 NPT IGBT 分立件和模块,Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 搜索库存