2MBI300VN-120-50
数据手册.pdf
FUJI
富士电机
分立器件
2MBI300VN-120-50中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 1.6 kW
封装参数
安装方式 PCB
引脚数 11
封装 M254
外形尺寸
长度 150 mm
宽度 62 mm
高度 17 mm
封装 M254
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
2MBI300VN-120-50引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2MBI300VN-120-50
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2MBI300VN-120-50 | FUJI 富士电机 | IGBT 模块，2 个装，Fuji Electric V - 系列，第 6 代现场挡块 U/U4 系列，第 5 代现场挡块 S - 系列，第 4 代 NPT IGBT 分立件和模块，Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 | 搜索库存 |
替代型号2MBI300VN-120-50
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2MBI300VN-120-50 品牌： FUJI 富士电机 封装： M254 | 当前型号 | IGBT 模块，2 个装，Fuji Electric V - 系列，第 6 代现场挡块 U/U4 系列，第 5 代现场挡块 S - 系列，第 4 代 NPT IGBT 分立件和模块，Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 | 当前型号 |
| 型号： 2MBI450VN-120-50 品牌： 富士电机 封装： M254 | 类似代替 | IGBT 模块，2 个装，Fuji ElectricV - 系列，第 6 代现场挡块 U/U4 系列，第 5 代现场挡块 S - 系列，第 4 代 NPT ### IGBT 分立件和模块，Fuji Electric绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 | 2MBI300VN-120-50和2MBI450VN-120-50的区别 |
| 型号： 2MBI450U4N-170-50 品牌： 富士电机 封装： | 功能相似 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A IC, 1700V VBRCES, N-Channel, MODULE-11 | 2MBI300VN-120-50和2MBI450U4N-170-50的区别 |
| 型号： 2MBI600VN-120-50 品牌： 富士电机 封装： | 功能相似 | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 3750000mW 11Pin | 2MBI300VN-120-50和2MBI600VN-120-50的区别 |