2N7000RLRP
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
2N7000RLRP中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 200 mA
通道数 1
漏源极电阻 5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
输入电容 60.0 pF
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 200 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
2N7000RLRP引脚图与封装图
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在线购买2N7000RLRP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N7000RLRP | ON Semiconductor 安森美 | 小信号MOSFET 200毫安， 60伏N沟道TO- 92 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N-Channel TO-92 | 搜索库存 |
替代型号2N7000RLRP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N7000RLRP 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 N-Channel 60V 200mA 5Ω 60pF | 当前型号 | 小信号MOSFET 200毫安， 60伏N沟道TO- 92 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N-Channel TO-92 | 当前型号 |
| 型号： 2N7000G 品牌： 安森美 封装： TO-92 N-Channel 60V 200mA 5ohms 60pF | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR 2N7000G 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V | 2N7000RLRP和2N7000G的区别 |
| 型号： 2N7000RLRAG 品牌： 安森美 封装： TO-92 N-Channel 60V 200mA 5ohms | 类似代替 | N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | 2N7000RLRP和2N7000RLRAG的区别 |
| 型号： 2N7000TA 品牌： 安森美 封装： TO-92-3 | 类似代替 | ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2N7000TA, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装 | 2N7000RLRP和2N7000TA的区别 |