2SJ360F

Toshiba 东芝分立器件

MOSFET P-CH 60V 1A SC-62

P-Channel 60V 1A Ta 500mW Ta Surface Mount PW-MINI

得捷:
MOSFET P-CH 60V 1A PW-MINI

贸泽:
MOSFET P-Ch 4-V gate drive RDS 0.55Ohm -60V

Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 60V 1A 4-Pin3+Tab PW-Mini

Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 60V 1A 4-Pin3+Tab PW-Mini

2SJ360F中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 730 mΩ

耗散功率 1.5 W

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 155pF @10VVds

额定功率Max 500 mW

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-62-3

外形尺寸

长度 4.6 mm

宽度 2.5 mm

高度 1.6 mm

封装 SC-62-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SJ360F引脚图与封装图

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