2SC2712GT1G
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
2SC2712GT1G中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.15A
最小电流放大倍数hFE 200
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-59-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.5 mm
高度 1.09 mm
封装 SC-59-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SC2712GT1G引脚图与封装图
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在线购买2SC2712GT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SC2712GT1G | ON Semiconductor 安森美 | 中频NPN晶体管放大器50 V 200毫安， 80兆赫 Medium Frequency NPN Amplifier Transistor 50 V, 200 mA, 80 MHz | 搜索库存 |
替代型号2SC2712GT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SC2712GT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SC-59-3 NPN | 当前型号 | 中频NPN晶体管放大器50 V 200毫安， 80兆赫 Medium Frequency NPN Amplifier Transistor 50 V, 200 mA, 80 MHz | 当前型号 |
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