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2SK2009TE85LF

2SK2009TE85LF

数据手册.pdf
Toshiba(东芝) 分立器件

Mosfet n-Ch 30V 0.2A Smini

表面贴装型 N 通道 200mA(Ta) 200mW(Ta) SC-59-3


得捷:
MOSFET N-CH 30V 200MA SC59-3


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI


2SK2009TE85LF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 200mW Ta

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 70pF @3VVds

耗散功率Max 200mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-59-3

外形尺寸

封装 SC-59-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SK2009TE85LF引脚图与封装图
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