2SK2009TE85LF
数据手册.pdfToshiba(东芝)
分立器件
耗散功率 200mW Ta
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 70pF @3VVds
耗散功率Max 200mW Ta
安装方式 Surface Mount
封装 SC-59-3
封装 SC-59-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SK2009TE85LF | Toshiba 东芝 | Mosfet n-Ch 30V 0.2A Smini | 搜索库存 |