2SK3048

Panasonic(松下) 分立器件

硅N沟道功率的F- MOS FET Silicon N-Channel Power F-MOS FET

N-Channel 600V 3A Tc 2W Ta, 35W Tc Through Hole TO-220D-A1

得捷:
MOSFET N-CH 600V 3A TO220D-A1

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin3+Tab TO-220D-A1

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 3A TO220D-A1 / N-Channel 600 V 3A Tc 2W Ta, 35W Tc Through Hole TO-220D-A1

2SK3048中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 3.00 A

极性 N-CH

耗散功率 2W Ta, 35W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 3.00 A

上升时间 25.0 ns

输入电容Ciss 750pF @20VVds

额定功率Max 35 W

耗散功率Max 2W Ta, 35W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SK3048引脚图与封装图

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