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2SJ168TE85LF

2SJ168TE85LF

数据手册.pdf
Toshiba(东芝) 分立器件

P沟道 60V 200A

表面贴装型 P 通道 60 V 200mA(Ta) 200mW(Ta) SC-59


得捷:
MOSFET P-CH 60V 200MA SC59


立创商城:
P沟道 60V 200A


贸泽:
MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -0.2A -60V 20V


Win Source:
MOSFET P-CH 60V 0.2A S-MINI


2SJ168TE85LF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 200 mW

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 85pF @10VVds

耗散功率Max 200mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.5 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SJ168TE85LF引脚图与封装图
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