2N7002BKS,115
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NXP
恩智浦
分立器件
2N7002BKS,115中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
极性 N-CH
耗散功率 0.445 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 0.3A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 50pF @10VVds
额定功率Max 295 mW
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 295 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-363-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
香港进出口证 NLR
2N7002BKS,115引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N7002BKS,115 | NXP 恩智浦 | 2N7002 系列 N 沟道 60 V 3 Ω 0.83 W 300 mA TrenchMOS FET - SC-88 | 搜索库存 |