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2SK3046
Panasonic(松下) 分立器件

硅N沟道功率的F- MOS FET Silicon N-Channel Power F-MOS FET

N-Channel 500V 7A Tc 2W Ta, 40W Tc Through Hole TO-220D-A1


得捷:
MOSFET N-CH 500V 7A TO220D-A1


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 7A 3-Pin3+Tab TO-220D-A1


2SK3046中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 8.00 A

极性 N-CH

耗散功率 2W Ta, 40W Tc

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 7.00 A

上升时间 70.0 ns

输入电容Ciss 1200pF @20VVds

额定功率Max 40 W

耗散功率Max 2W Ta, 40W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

2SK3046引脚图与封装图
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替代型号2SK3046
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2SK3046

品牌: Panasonic 松下

封装: TO-220D-A1 N-CH 500V 7A

当前型号

硅N沟道功率的F- MOS FET Silicon N-Channel Power F-MOS FET

当前型号

型号: IXTH36N50P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247 N-Channel 500V 36A 5.5nF

功能相似

IXYS SEMICONDUCTOR  IXTH36N50P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 36 A, 500 V, 170 mohm, 10 V, 5 V

2SK3046和IXTH36N50P的区别

型号: FDA28N50F

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-3P-3 N-CH 500V 28A

功能相似

UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

2SK3046和FDA28N50F的区别

型号: IXFH30N50Q3

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247-3 N-CH 500V 30A

功能相似

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

2SK3046和IXFH30N50Q3的区别