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2N6768T1

数据手册.pdf

N沟道MOSFET N-CHANNEL MOSFET

This family of 2N6764T1, 2N6766T1, and 2N6770T1 switching transistors are military qualified up to the JANTXV level for high-reliability applications.  These devices are also available in a thru hole TO-204AE metal can package.  also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.

2N6768T1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 4W Ta, 150W Tc

漏源极电压Vds 400 V

额定功率Max 4 W

耗散功率Max 4W Ta, 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-254-3

外形尺寸

封装 TO-254-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准

含铅标准

2N6768T1引脚图与封装图
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2N6768T1 Microsemi 美高森美 N沟道MOSFET N-CHANNEL MOSFET 搜索库存
替代型号2N6768T1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： 2N6768T1

品牌： Microsemi 美高森美

封装： TO-254-3

当前型号

N沟道MOSFET N-CHANNEL MOSFET

当前型号

型号： JAN2N6768T1

品牌： 美高森美

封装： TO-254 N-CH 400V 14A

完全替代

TO-254 N-CH 400V 14A

2N6768T1和JAN2N6768T1的区别

型号： JANTXV2N6768T1

品牌： 美高森美

封装： ~0.83deg

完全替代

Trans MOSFET N-CH 400V 14A 3Pin3+Tab TO-254 T/R

2N6768T1和JANTXV2N6768T1的区别

型号： JANTX2N6768T1

品牌： 美高森美

封装： TO-254 N-CH 400V 14A

完全替代

TO-254 N-CH 400V 14A

2N6768T1和JANTX2N6768T1的区别