2N7002BKV,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
2N7002BKV,115中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
漏源极电阻 1 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 0.525 W
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 0.34A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 50pF @10VVds
额定功率Max 350 mW
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-666-6
外形尺寸
封装 SOT-666-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
2N7002BKV,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2N7002BKV,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N7002BKV,115 | NXP 恩智浦 | 2N7002 系列 N 沟道 60 V 3 Ω 0.83 W 340 mA TrenchMOS FET - SOT666 | 搜索库存 |
替代型号2N7002BKV,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N7002BKV,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-563 Dual N-Channel 60V 0.34A | 当前型号 | 2N7002 系列 N 沟道 60 V 3 Ω 0.83 W 340 mA TrenchMOS FET - SOT666 | 当前型号 |
| 型号： NTZD5110NT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-563 Dual N-Channel 60V 310mA | 功能相似 | 60 V,0.31A功率MOSFET,带ESD保护 | 2N7002BKV,115和NTZD5110NT1G的区别 |
| 型号： SI1026X-T1-GE3 品牌： 威世 封装： SOT-666 N-Channel 60V 500mA 1.4Ω | 功能相似 | N通道60 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 60-V D-S MOSFET | 2N7002BKV,115和SI1026X-T1-GE3的区别 |