2N7002BK,215
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NXP
恩智浦
分立器件
2N7002BK,215中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 1 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 440 mW
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 50pF @10VVds
额定功率Max 370 mW
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 370mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
2N7002BK,215引脚图与封装图
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在线购买2N7002BK,215
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N7002BK,215 | NXP 恩智浦 | 2N7002 系列 N 沟道 60 V 3 Ω 0.83 W 350 mA TrenchMOS FET - TO-236 | 搜索库存 |
替代型号2N7002BK,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N7002BK,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-236AB N-Channel | 当前型号 | 2N7002 系列 N 沟道 60 V 3 Ω 0.83 W 350 mA TrenchMOS FET - TO-236 | 当前型号 |
| 型号： 2N7002KT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23-3 N-Channel 60V 380mA | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N7002KT1G. 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 380mA SOT-23 | 2N7002BK,215和2N7002KT1G的区别 |