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2N7002PS,115

2N7002PS,115

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
2N7002PS,115中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

漏源极电阻 1 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 320 mW

阈值电压 1.75 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 0.32A

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 50pF @10VVds

额定功率Max 420 mW

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

2N7002PS,115引脚图与封装图
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在线购买2N7002PS,115
型号 制造商 描述 购买
2N7002PS,115 NXP 恩智浦 2N7002 系列 N 沟道 60 V 3.9 Ω 0.83 W 320 mA TrenchMOS FET - SOT-363 搜索库存
替代型号2N7002PS,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2N7002PS,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: 6-TSSOP N-Channel 60V 0.32A

当前型号

2N7002 系列 N 沟道 60 V 3.9 Ω 0.83 W 320 mA TrenchMOS FET - SOT-363

当前型号

型号: 2N7002PS,125

品牌: 恩智浦

封装: 6-TSSOP N-CH 60V 0.32A

类似代替

TSSOP N-CH 60V 0.32A

2N7002PS,115和2N7002PS,125的区别