通道数 1
漏源极电阻 1.1 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
阈值电压 1.75 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 0.3A
输入电容Ciss 55pF @25VVds
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 350mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2N7002CK,215 | NXP 恩智浦 | TO-236AB N-CH 60V 0.3A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2N7002CK,215 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-236AB N-Channel 60V 0.3A | 当前型号 | TO-236AB N-CH 60V 0.3A | 当前型号 | |
型号: 2N7002ET1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23-3 N-Channel 60V 310mA | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N7002ET1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 V | 2N7002CK,215和2N7002ET1G的区别 | |
型号: 2N7002K-7 品牌: 美台 封装: SOT-23 N-Channel 60V 300mA | 功能相似 | 2N7002K 系列 60 V 2 Ohm N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-23-3 | 2N7002CK,215和2N7002K-7的区别 | |
型号: 2N7002K-T1-GE3 品牌: 威世 封装: SOT-23-3 N-Channel 60V 190mA 2Ω | 功能相似 | 60V,0.3A,N沟道MOSFET | 2N7002CK,215和2N7002K-T1-GE3的区别 |