2N7002BKW,115
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NXP
恩智浦
分立器件
2N7002BKW,115中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 1 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 330 mW
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 50pF @10VVds
额定功率Max 275 mW
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 275mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
2N7002BKW,115引脚图与封装图
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在线购买2N7002BKW,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N7002BKW,115 | NXP 恩智浦 | 2N7002BKW Series N-Channel 60V 1.6Ω 275mW 0.5NC SMT TrenchMOS FET - SOT-323 | 搜索库存 |
替代型号2N7002BKW,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N7002BKW,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SC-70 N-Channel | 当前型号 | 2N7002BKW Series N-Channel 60V 1.6Ω 275mW 0.5NC SMT TrenchMOS FET - SOT-323 | 当前型号 |
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| 型号： 2N7002W 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-323 N-Channel | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002W 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 78 V, 2.53 ohm, 10 V, 1.76 V | 2N7002BKW,115和2N7002W的区别 |