2SAR553PFRAT100
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SAR553PFRAT100中文资料参数规格
技术参数
额定功率 2 W
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 180 @50mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 450
额定功率Max 500 mW
直流电流增益hFE 180
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89-3
外形尺寸
封装 SOT-89-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Automotive, 车用
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
2SAR553PFRAT100引脚图与封装图 
2SAR553PFRAT100引脚图
2SAR553PFRAT100封装图
2SAR553PFRAT100封装焊盘图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SAR553PFRAT100 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM 2SAR553PFRAT100 单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -50 V, 320 MHz, 2 W, -2 A, 180 hFE | 搜索库存 |