2SA1978-T1B-A

California Eastern Laboratories 分立器件

Trans GP BJT PNP 12V 0.05A 3Pin SOT-23 T/R

RF Transistor PNP 12V 50mA 5.5GHz 200mW Surface Mount SOT-23

得捷:
RF TRANS PNP 12V 5.5GHZ SOT23

艾睿:
Trans RF BJT PNP 12V 0.05A

安富利:
Trans GP BJT PNP 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R

2SA1978-T1B-A中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 10 dB

最小电流放大倍数hFE 20 @15mA, 10V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SA1978-T1B-A引脚图与封装图

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