2N6727
数据手册.pdf
NTE Electronics
分立器件
2N6727中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 850 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 3
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
2N6727引脚图与封装图
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在线购买2N6727
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N6727 | NTE Electronics | NTE ELECTRONICS 2N6727 Bipolar BJT Single Transistor, PNP, 80V, 50MHz, 850mW, 1A, 100 hFE | 搜索库存 |
替代型号2N6727
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N6727 品牌： NTE Electronics 封装： PNP | 当前型号 | NTE ELECTRONICS 2N6727 Bipolar BJT Single Transistor, PNP, 80V, 50MHz, 850mW, 1A, 100 hFE | 当前型号 |
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