2SJ281-TL-E
ON Semiconductor
安森美
分立器件
漏源极电阻 2 Ω
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds 250 V
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 420pF @20VVds
下降时间 65 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
引脚数 3
封装 TP-FA
封装 TP-FA
材质 Silicon
RoHS标准
含铅标准 PB free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SJ281-TL-E | ON Semiconductor 安森美 | Trans MOSFET P-CH Si 250V 3A | 搜索库存 |