2SK3563Q
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
分立器件
2SK3563Q中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 5.00 A
耗散功率 35 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
上升时间 55 ns
下降时间 38 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
高度 15 mm
封装 TO-220-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SK3563Q引脚图与封装图
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在线购买2SK3563Q
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SK3563Q | Toshiba 东芝 | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3Pin3+Tab TO-220SIS | 搜索库存 |
替代型号2SK3563Q
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SK3563Q 品牌： Toshiba 东芝 封装： TO220SIS 500V 5A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3Pin3+Tab TO-220SIS | 当前型号 |
| 型号： STP5NK50ZFP 品牌： 意法半导体 封装： TO-220FP N-Channel 500V 4.4A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP5NK50ZFP 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.4 A, 500 V, 1.22 ohm, 10 V, 3.75 V | 2SK3563Q和STP5NK50ZFP的区别 |