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2SK3567Q
Toshiba 东芝 分立器件
2SK3567Q中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 3.50 A

耗散功率 35 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 3.50 A

上升时间 38 ns

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220-3

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SK3567Q引脚图与封装图
2SK3567Q引脚图

2SK3567Q引脚图

2SK3567Q封装图

2SK3567Q封装图

2SK3567Q封装焊盘图

2SK3567Q封装焊盘图

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型号 制造商 描述 购买
2SK3567Q Toshiba 东芝 Trans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3Pin3+Tab TO-220SIS 搜索库存