2SK2866F
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
分立器件
2SK2866F中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 125 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 10A
输入电容Ciss 2040pF @10VVds
额定功率Max 125 W
耗散功率Max 125W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SK2866F引脚图与封装图
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在线购买2SK2866F
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SK2866F | Toshiba 东芝 | TO-220AB N-CH 600V 10A | 搜索库存 |
替代型号2SK2866F
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SK2866F 品牌： Toshiba 东芝 封装： TO-220-3 N-CH 600V 10A | 当前型号 | TO-220AB N-CH 600V 10A | 当前型号 |
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| 型号： STP7NM60N 品牌： 意法半导体 封装： TO-220-3 N-Channel | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP7NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 600 V, 0.84 ohm, 10 V, 3 V | 2SK2866F和STP7NM60N的区别 |