2N5885
数据手册.pdf
Central Semiconductor
分立器件
2N5885中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 200 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 20
额定功率Max 200 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-2
外形尺寸
封装 TO-3-2
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
2N5885引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N5885
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N5885 品牌： Central Semiconductor 封装： TO3 | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Power SW | 当前型号 |
| 型号： 2N5885G 品牌： 安森美 封装： TO-3 NPN 60V 600mA 200000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N5885G. 双极晶体管 | 2N5885和2N5885G的区别 |
| 型号： 2N5886G 品牌： 安森美 封装： TO-3 NPN 80V 25A 200000mW | 功能相似 | NPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 2N5885和2N5886G的区别 |
| 型号： TIP100 品牌： NTE Electronics 封装： | 功能相似 | t-Npn Si- Darlington | 2N5885和TIP100的区别 |