2N7002P,215
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NXP
恩智浦
分立器件
2N7002P,215中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 1 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 420 mW
阈值电压 1.75 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 0.36A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 50pF @10VVds
额定功率Max 350 mW
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
宽度 1.4 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Automotive, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
2N7002P,215引脚图与封装图 
2N7002P,215引脚图
2N7002P,215封装焊盘图
在线购买2N7002P,215
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N7002P,215 | NXP 恩智浦 | NXP 2N7002P,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 360 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.75 V | 搜索库存 |
替代型号2N7002P,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N7002P,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-236AB N-Channel 60V 0.36A | 当前型号 | NXP 2N7002P,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 360 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.75 V | 当前型号 |
| 型号： 2N7002P,235 品牌： 恩智浦 封装： TO-236 | 类似代替 | 2N7002P Series 60V 360mA 1.6Ω SMT N-Channel Trench Mosfet - SOT-23-3 | 2N7002P,215和2N7002P,235的区别 |
| 型号： 2N7002KT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23-3 N-Channel 60V 380mA | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N7002KT1G. 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 380mA SOT-23 | 2N7002P,215和2N7002KT1G的区别 |
| 型号： 2N7002ET1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23-3 N-Channel 60V 310mA | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N7002ET1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 V | 2N7002P,215和2N7002ET1G的区别 |