针脚数 3
漏源极电阻 2.8 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 830 mW
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 340 mA
输入电容Ciss 40pF @10VVds
额定功率Max 830 mW
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 830mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2N7002K,215 | NXP 恩智浦 | NXP 2N7002K,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 340 mA, 60 V, 2.8 ohm, 10 V, 2 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2N7002K,215 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT-23 N-Channel 60V 340mA | 当前型号 | NXP 2N7002K,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 340 mA, 60 V, 2.8 ohm, 10 V, 2 V | 当前型号 | |
型号: 2N7002K 品牌: 恩智浦 封装: SOT-23/SC-59 N-Channel | 完全替代 | 2N7002K N沟道MOSFET 60V 340mA/0.34A SOT-23/SC-59 marking/标记 W2K 逻辑电平兼容/高速开关 | 2N7002K,215和2N7002K的区别 | |
型号: 2N7002LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 N-Channel 60V 115mA 7.5ohms | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N7002LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V | 2N7002K,215和2N7002LT1G的区别 | |
型号: BSS123LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 N-Channel 100V 170mA 6ohms 20pF | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor | 2N7002K,215和BSS123LT1G的区别 |