2N6760
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
2N6760中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 4 W
漏源极电压Vds 400 V
上升时间 40 ns
额定功率Max 4 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 4W Ta, 75W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-204
外形尺寸
封装 TO-204
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
2N6760引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N6760
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N6760 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-204AA | 当前型号 | N沟道MOSFET N-CHANNEL MOSFET | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N6760 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3Pin2+Tab TO-3 | 2N6760和JANTX2N6760的区别 |
| 型号： NTE2386 品牌： NTE Electronics 封装： TO-3 N-CH 600V 6.2A | 功能相似 | TO-3 N-CH 600V 6.2A | 2N6760和NTE2386的区别 |