极性 N-CH
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 8.5A
上升时间 37 ns
输入电容Ciss 750pF @30VVds
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Ta, 35W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bag
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2SK4099LS 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO220FI N-CH 600V 8.5A | 当前型号 | TO-220FILS N-CH 600V 8.5A | 当前型号 | |
型号: NDF08N60ZH 品牌: 安森美 封装: TO-220-3 N-CH 600V 8.4A | 类似代替 | N 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor | 2SK4099LS和NDF08N60ZH的区别 | |
型号: NDF08N60ZG 品牌: 安森美 封装: TO-220FP N-CH 600V 8.4A | 类似代替 | N 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor | 2SK4099LS和NDF08N60ZG的区别 |