2N6790
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
2N6790中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 800mW Tc
漏源极电压Vds 200 V
额定功率Max 800 mW
耗散功率Max 800mW Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-39
外形尺寸
封装 TO-39
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
2N6790引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N6790
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N6790 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-205AF | 当前型号 | MOSFET N-CH 200V TO-205AF | 当前型号 |
| 型号： IRFF220 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 200V 3.5A 3Pin TO-39 | 2N6790和IRFF220的区别 |