2N6788
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
2N6788中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 800mW Tc
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 70 ns
额定功率Max 800 mW
下降时间 70 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800mW Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-205
外形尺寸
封装 TO-205
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
2N6788引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N6788
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N6788 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-205AF | 当前型号 | N沟道MOSFET N-CHANNEL MOSFET | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N6788 品牌： 美高森美 封装： ~6.25°C/W | 完全替代 | Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3Pin TO-39 | 2N6788和JANTX2N6788的区别 |
| 型号： 2N6782 品牌： 英飞凌 封装： TO-205AF | 功能相似 | INFINEON 2N6782 场效应管, MOSFET, N | 2N6788和2N6782的区别 |
| 型号： IRFF120 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 100V 6A 3Pin TO-39 | 2N6788和IRFF120的区别 |