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N沟道MOSFET N-CHANNEL MOSFET

表面贴装型 N 通道 100 V 4.5A(Tc) 800mW(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)


得捷:
MOSFET N-CH 100V 4.5A 18ULCC


2N6788U中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 800mW Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 4.5A

额定功率Max 800 mW

耗散功率Max 800mW Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 BQFN-18

外形尺寸

封装 BQFN-18

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

2N6788U引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
2N6788U Microsemi 美高森美 N沟道MOSFET N-CHANNEL MOSFET 搜索库存
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型号: 2N6788U

品牌: Microsemi 美高森美

封装: 18-BQFN N-CH 100V 4.5A

当前型号

N沟道MOSFET N-CHANNEL MOSFET

当前型号

型号: JANTXV2N6788U

品牌: 美高森美

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