极性 N-CH
耗散功率 800mW Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 4.5A
额定功率Max 800 mW
耗散功率Max 800mW Tc
安装方式 Surface Mount
封装 BQFN-18
封装 BQFN-18
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2N6788U 品牌: Microsemi 美高森美 封装: 18-BQFN N-CH 100V 4.5A | 当前型号 | N沟道MOSFET N-CHANNEL MOSFET | 当前型号 | |
型号: JANTXV2N6788U 品牌: 美高森美 封装: ~6.25°C/W | 类似代替 | MOSFET N-CH 100V 4.5A | 2N6788U和JANTXV2N6788U的区别 | |
型号: JANTX2N6788U 品牌: 美高森美 封装: ~6.25°C/W | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 18Pin CLCC | 2N6788U和JANTX2N6788U的区别 | |
型号: IRFE120 品牌: 英飞凌 封装: LLCC N-CH 100V 4.5A | 功能相似 | LLCC N-CH 100V 4.5A | 2N6788U和IRFE120的区别 |