额定电压DC 100 V
额定电流 5.00 A
漏源极电阻 250 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 20 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 520pF @10VVds
额定功率Max 20 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 20W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 5.5 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SK2504TL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 4V驱动N沟道MOS FET 4V Drive Nch MOS FET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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