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2SK2504TL
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

4V驱动N沟道MOS FET 4V Drive Nch MOS FET

表面贴装型 N 通道 5A(Ta) 20W(Tc) CPT3


得捷:
MOSFET N-CH 100V 5A CPT3


贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 755-RD3P050SNTL1


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 5A 3-Pin2+Tab CPT T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 5A DPAK


2SK2504TL中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 5.00 A

漏源极电阻 250 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 20 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 5.00 A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 520pF @10VVds

额定功率Max 20 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 20W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 5.5 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

2SK2504TL引脚图与封装图
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在线购买2SK2504TL
型号 制造商 描述 购买
2SK2504TL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 4V驱动N沟道MOS FET 4V Drive Nch MOS FET 搜索库存
替代型号2SK2504TL
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2SK2504TL

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: SOT-428 N-Channel 100V 5A 250mΩ

当前型号

4V驱动N沟道MOS FET 4V Drive Nch MOS FET

当前型号

型号: STP55NF06

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ

功能相似

MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

2SK2504TL和STP55NF06的区别

型号: STP80NF10

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 100V 80A 15mΩ

功能相似

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

2SK2504TL和STP80NF10的区别

型号: STD18N55M5

品牌: 意法半导体

封装: DPAK N-Channel 550V 16A

功能相似

STMICROELECTRONICS  STD18N55M5  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V

2SK2504TL和STD18N55M5的区别