2SK2740
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SK2740中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 7.00 A
极性 N-CH
耗散功率 30W Tc
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 7.00 A
上升时间 22.0 ns
输入电容Ciss 1050pF @10VVds
额定功率Max 30 W
耗散功率Max 30W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SK2740引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2SK2740
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SK2740 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TO-220-3 N-CH 600V 7A | 当前型号 | 开关（ 600V ， 7A ） Switching 600V, 7A | 当前型号 |
| 型号： FDA28N50F 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-3P-3 N-CH 500V 28A | 功能相似 | UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 2SK2740和FDA28N50F的区别 |
| 型号： IXFH30N50Q3 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 500V 30A | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | 2SK2740和IXFH30N50Q3的区别 |
| 型号： 2SK1358 品牌： 东芝 封装： TO-3PN N-CH 900V 9A | 功能相似 | TO-3PN N-CH 900V 9A | 2SK2740和2SK1358的区别 |