2N7002 TR
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Central Semiconductor
分立器件
2N7002 TR中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 3.7 Ω
耗散功率 350 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
输入电容Ciss 50pF @25VVds
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 350mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2N7002 TR引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2N7002 TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N7002 TR | Central Semiconductor | 2N7002 系列 60 V 7.5 Ohm 硅 N沟道 增强型 Mosfet - SOT-23-3 | 搜索库存 |
替代型号2N7002 TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N7002 TR 品牌： Central Semiconductor 封装： SOT-23-3 | 当前型号 | 2N7002 系列 60 V 7.5 Ohm 硅 N沟道 增强型 Mosfet - SOT-23-3 | 当前型号 |
| 型号： 2N7002 BK 品牌： Central Semiconductor 封装： | 完全替代 | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3Pin SOT-23 Box | 2N7002 TR和2N7002 BK的区别 |