
额定功率 0.2 W
针脚数 3
漏源极电阻 7.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 mW
阈值电压 2.1 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
连续漏极电流Ids 115 mA
输入电容Ciss 22pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-236
高度 1.02 mm
封装 TO-236
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 工业, 电源管理, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2N7002-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY 2N7002-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.1 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2N7002-T1-E3 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: TO-236 N-Channel 60V 115mA 7.5ohms | 当前型号 | VISHAY 2N7002-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.1 V | 当前型号 | |
型号: 2N7002-E3 品牌: 威世 封装: SOT-23 N-Channel 60V 115mA 7.5Ω | 完全替代 | VISHAY 2N7002-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.1 V | 2N7002-T1-E3和2N7002-E3的区别 | |
型号: 2N7002LT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 N-Channel 60V 115mA 7.5ohms | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N7002LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V | 2N7002-T1-E3和2N7002LT1G的区别 | |
型号: 2N7002-7-F 品牌: 美台 封装: SOT-23 N-Channel 60V 115mA 4.4Ω | 功能相似 | 2N7002-7-F 编带 | 2N7002-T1-E3和2N7002-7-F的区别 |