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2N7002-T1-E3

2N7002-T1-E3

数据手册.pdf

VISHAY  2N7002-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.1 V

The is a 60V N-channel MOSFET with low on resistance and low threshold. Suitable for solid-state relays and TTL/CMOS direct logic-level interface.

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Low input capacitance
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Fast switching speed
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Low input and output leakage
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Low offset voltage
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Low error voltage
2N7002-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.2 W

针脚数 3

漏源极电阻 7.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 200 mW

阈值电压 2.1 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

连续漏极电流Ids 115 mA

输入电容Ciss 22pF @25VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-236

外形尺寸

高度 1.02 mm

封装 TO-236

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 工业, 电源管理, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

2N7002-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买2N7002-T1-E3
型号 制造商 描述 购买
2N7002-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  2N7002-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.1 V 搜索库存
替代型号2N7002-T1-E3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 2N7002-T1-E3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: TO-236 N-Channel 60V 115mA 7.5ohms

当前型号

VISHAY  2N7002-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.1 V

当前型号

型号: 2N7002-E3

品牌: 威世

封装: SOT-23 N-Channel 60V 115mA 7.5Ω

完全替代

VISHAY  2N7002-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.1 V

2N7002-T1-E3和2N7002-E3的区别

型号: 2N7002LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 N-Channel 60V 115mA 7.5ohms

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  2N7002LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V

2N7002-T1-E3和2N7002LT1G的区别

型号: 2N7002-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-23 N-Channel 60V 115mA 4.4Ω

功能相似

2N7002-7-F 编带

2N7002-T1-E3和2N7002-7-F的区别