2SK3065T100
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
2SK3065T100中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 2.00 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 250 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 500 mW
阈值电压 800 mV
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 2.00 A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 160pF @10VVds
额定功率Max 500 mW
下降时间 70 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 500mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89-3
外形尺寸
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOT-89-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
2SK3065T100引脚图与封装图 
2SK3065T100引脚图
2SK3065T100封装图
2SK3065T100封装焊盘图
在线购买2SK3065T100
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SK3065T100 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM 2SK3065T100 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 60 V, 250 mohm, 4 V, 800 mV | 搜索库存 |
替代型号2SK3065T100
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2SK3065T100 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-89 N-Channel 60V 2A 350mohms | 当前型号 | ROHM 2SK3065T100 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 60 V, 250 mohm, 4 V, 800 mV | 当前型号 |
| 型号： RJP020N06T100 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-89 N-Channel 60V 2.5A 210mΩ | 类似代替 | ROHM RJP020N06T100 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 60 V, 165 mohm, 4.5 V, 4.5 V | 2SK3065T100和RJP020N06T100的区别 |
| 型号： RHP020N06T100 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-89 N-Channel 60V 200mA 240mohms | 类似代替 | 4V驱动N沟道MOSFET 4V Drive Nch MOSFET | 2SK3065T100和RHP020N06T100的区别 |
| 型号： 2N7002E 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23/SC-59 N-Channel | 类似代替 | MOS场效应管/2N7002E 停产 | 2SK3065T100和2N7002E的区别 |