额定电压DC 30.0 V
额定电流 100 mA
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 mW
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 100 mA
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 13pF @5VVds
额定功率Max 150 mW
下降时间 80 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 VMT-3
封装 VMT-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, Power Management, 便携式器材, Industrial, Portable Devices, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
2SK3541T2L引脚图
2SK3541T2L封装图
2SK3541T2L封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2SK3541T2L | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM 2SK3541T2L 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 30 V, 5 ohm, 4 V, 1.5 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2SK3541T2L 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: VMT N-Channel 30V 100mA 7ohms | 当前型号 | ROHM 2SK3541T2L 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 30 V, 5 ohm, 4 V, 1.5 V | 当前型号 | |
型号: RUM001L02T2CL 品牌: 罗姆半导体 封装: SOT-723 N-Channel | 功能相似 | N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor | 2SK3541T2L和RUM001L02T2CL的区别 |