2N3811
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
2N3811中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 300 @1mA, 5V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 6
封装 TO-78-6
外形尺寸
封装 TO-78-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
2N3811引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N3811
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N3811 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-78-6 | 当前型号 | PNP硅晶体管双 PNP SILICON DUAL TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： 2N3806 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | Trans 2pnp 50mA 60V To78-6 | 2N3811和2N3806的区别 |